karajniaz نوشته است:
دوستان عزیز در خصوص ماسفت یه پارامتر تحت عنوان dv/dt هست که درواقع سرعت افزایش ولتاژه و چون اکثر ما اسیلسکوپ نداریم - خدا لعنت کنه دزد اسیلسکوپ منو - باید محاسبه کنیم که در کدام میکرو ثانیه به حداکثر ولتاژ می رسیم
مثلا اگر ولتاژ نهایی ماسفت 1200 ومقدار این پارامتر 3 باشه 400 میکروثانیه طول میکشه تا به ولتاژ 1200 برسیم
1200/3=400
در این صورت اگر پهنای پالس رو روی 200 بگذاریم به ولتاژی معادل نصف ولتاژ نهایی ماسفت خواهیم رسید
200*3=600
بنابراین دوستان درصورت استفاده از ماسفت هایی با ولتاژبالا باید پهنای پالس روهم افزایش بدهند تا به ولتاژ ماکسیمم دست پیدا کنند
ضمنا پس از انجام محاسبات بهتره عدد وارد شده به اندازه 10 یا 15 واحد برحسب میکروثانیه بیشترباشه تا در ده پانزده میکروثانیه آخر پالس حداکثر ولتاژ رو داشته باشیم
البته همه مطالب بالا درصورت تایید توسط مهندس حمید قابل اجرا هستند و نظر نهایی با استاد بزرگ خواهد بود

حمید نوشته است:
karajniaz نوشته است:
دوستان عزیز در خصوص ماسفت یه پارامتر تحت عنوان dv/dt هست که درواقع سرعت افزایش ولتاژه و چون اکثر ما اسیلسکوپ نداریم - خدا لعنت کنه دزد اسیلسکوپ منو - باید محاسبه کنیم که در کدام میکرو ثانیه به حداکثر ولتاژ می رسیم
مثلا اگر ولتاژ نهایی ماسفت 1200 ومقدار این پارامتر 3 باشه 400 میکروثانیه طول میکشه تا به ولتاژ 1200 برسیم
1200/3=400
در این صورت اگر پهنای پالس رو روی 200 بگذاریم به ولتاژی معادل نصف ولتاژ نهایی ماسفت خواهیم رسید
200*3=600
بنابراین دوستان درصورت استفاده از ماسفت هایی با ولتاژبالا باید پهنای پالس روهم افزایش بدهند تا به ولتاژ ماکسیمم دست پیدا کنند
ضمنا پس از انجام محاسبات بهتره عدد وارد شده به اندازه 10 یا 15 واحد برحسب میکروثانیه بیشترباشه تا در ده پانزده میکروثانیه آخر پالس حداکثر ولتاژ رو داشته باشیم
البته همه مطالب بالا درصورت تایید توسط مهندس حمید قابل اجرا هستند و نظر نهایی با استاد بزرگ خواهد بود

خیلی ممنون از شما.
توجه شما به فاکتور dv/dt بسیار خوب و درست بود هر چند سایر توضیحات شما اشکال داشت! ببینید این فاکتور نشانه این هست که ولتاژ چند صد ولتی که در اثر وجود لوپ در خروجی ماسفت در لحظه خاموشی ماسفت بوجود میاد با چه سرعتی به سمت صفر میره. طبیعتا چون مربوط به لحظه ای هست که روی میرایی موج دریافتی هم تاثیر داره لذا برای ما فاکتور مهمیه. کل زمانی هم که طول میکشه اصلا نباید به میکرو ثانیه برسه!
بعنوان مثال این فاکتور برای IRF840 برابر 3.5 ولت بر نانو ثانیه هست. یعنی از 500 ولت در 143 نانوثانیه طول میکشه تا به صفر برگرده. برای IRFP460 هم دقیقا همین مقدار هست. اما برای شماره STW11NM80 با رقم جالب 30 ولت بر نانو ثانیه مواجه هستیم که نشون میده از ولتاژ 800 ولت تا صفر رو تنها در 27 نانوثانیه طی میکنه!!! ولتاژ بیشتر این ماسفت در کنار سرعت 7 برابری برای تایم ریکاوری دیود داخلی ماسفت مشخصاتی هست که نشون میده چرا این ماسفت خاص میتونه واقعا بهتر جواب بده.
سلام به همه دوستان
لطفا" برداشتتان از این موضوع dv/dt را تصحیح فرمایید (ولتاژ درین-سورس drain-source voltage slope)ویژگی dv/dt ، یک پارامتر برای بیان حداکثر مجاز تغییرات
"ولتاژ درین-سورس" می باشد
و در طراحی باید به نحوی عمل شود که به این عدد نرسیم.در غیر اینصورت، باعث تخریب نیمه هادی داخلی ماسفت می شود.
در واقع dv/dt را از محاسبات مدار به دست می آوریم، و باید کمتر از مقدار دیتا شیت باشد.
(البته هر چقدر این عدد در دیتا شیت بالاتر باشد، ماسفت برای کارهای سریعتر قابل استفاده است )
سرعت صعود و نزول ولتاژ را موارد ذیل تعیین می کنند:
مقدار سلف
مقدار خازنهای مدار و ماسفت( که به درین وصلند )
مقدار جریانی که کویل داشته
جمع بندی
برای این مدار ،
ماسفتهایی با dv/dt گوناگون که ذکر شده، تاثیر 5%+ تا 5%- خواهند داشت
و در واقع ، عامل مهمی نیست و نیاز به توجه زیادی ندارد.و همین "روش سعی و خطای همگانی" برای یافتن بهترین ماسفت سازگار با این مدار، روش خوبی برای نهایی شدن گزینه ماسفت می باشد.
درود
==============================================================
پ.ن:
dv/dt مرتبط ب peak diode recovery voltage slope
در عملکرد مدار ، در تنظیمات " عرض پالس زیاد" ، تاثیر خواهد داشت.